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Drive Z3（HPD）封裝的1200V SiC六單元模塊，是中恒微新一代車規(guī)級SiC功率模塊。模塊芯片為平面柵SiC MOSFET，使用高可靠性、高熱導率的Si3N4 AMB覆銅陶瓷基板以及直接液冷Pin-Fin散熱器，結合錫片焊接、納米銀燒結、銅箔超聲波焊接、銅線超聲波鍵合等先進封裝工藝。具備出色的高壓、高頻和高溫工作性能，廣泛應用于新能源汽車等領域。
01
產(chǎn)品型號
6H002E120T1P
6H002E120T2P
6H003E120T1P
6H003E120T2P
6H004E120T2P
6H006E120T1P
拓撲結構：Six-pack
電壓范圍：1200V
電阻范圍：1.75mΩ~5.5mΩ
02
產(chǎn)品特點
01
低開關損耗
02
低導通電阻
03
高開關速度
04
Tvjop=175°C
05
集成NTC溫度傳感器
06
產(chǎn)品封裝及pin腳設計兼容市面主流產(chǎn)品
03
應用優(yōu)勢
01
高可靠性
02
高轉(zhuǎn)換效率
03
降低系統(tǒng)體積
04
成熟靈活，適用于中大型功率應用
04
應用領域
01
新能源乘用車
02
新能源商用車
合肥中恒微半導體有限公司
